M2M-0080-120D-第三代半導體產品介紹以及材料應用-晁元國際有限公司

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第三代半導體材料可以推展無線充電

M2M-0080-120D

碳化硅 SiC MOSFET

M2M-0080-120D

Silicon Carbide Power MOSFET

型號 擊穿電壓(V) 導通電阻(mΩ) 電流(A) 閥值電壓(V) 最高工作結溫(°C) 封裝形式 檔案下載
M2M-0013-120D 1200 13 125 3.0 150 T0-247-3L
M2M-0013-120K 1200 13 125 3.0 150 T0-247-4L
M2M-0017-120D 1200 17 97 2.5 150 T0-247-3L
M2M-0017-120K 1200 17 97 2.5 150 T0-247-4L
M2M-0030-120D 1200 30 76 2.4 150 T0-247-3L
M2M-0030-120K 1200 30 76 3.2 150 T0-247-4L
M4M-0040-120D 1200 45 60 3.2 150 T0-247-3L
M4M-0040-120K 1200 45 60 3.1 150 T0-247-4L
M2M-0080-120D 1200 80 28 2.4 150 T0-247-3L
M2M-0080-120K 1200 80 28 2.4 150 T0-247-4L
M2M-0160-120D 1200 160 17 2.4 150 T0-247-3L
M2M-0160-120K 1200 160 17 2.4 150 T0-247-4L
M2M-0020-170D 1700 20 80 2.4 150 T0-247-3L
M2M-0045-170D 1700 45 40 2.4 150 T0-247-3L
M2M-1000-170D 1700 1000 5 2.6 150 T0-247-3L
M2M-1000-170K 1700 1000 5 2.4 150 T0-247-4L