M3S-0030-065D-第三代半導體產品介紹以及材料應用-晁元國際有限公司

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第三代半導體材料可以推展無線充電

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Silicon Carbide Schottky Diode

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型號 擊穿電壓(V) 電流(A) 閥值電壓(V) 最高工作結溫(°C) 封裝形式 檔案下載
M3S-0030-065D 650 30 1.8 175 T0-247-3L
M3S-0040-065D 650 40 1.8 175 T0-247-3L