M2D-0650-0060-第三代半導體產品介紹以及材料應用-晁元國際有限公司

晁元國際半導體股份有限公司

搜尋

第三代半導體材料可以推展無線充電

M2D-0650-0060

碳化硅 SiC MOSFET Bare Die

M2D-0650-0060

Silicon Carbide Power MOSFET Bare Die

型號 擊穿電壓(V) 導通電阻(mΩ) 電流(A) 芯片面積(um*um) 芯片厚度(um) 晶圓尺寸(inch) 滿版點數 包裝 檔案下載
M2D-0650-0060 650 60 30 3300*3300 180 6 1410 藍膜
M2D-1200-0017 1200 17 97 4460*5370 180 6 500 藍膜
M2D-1200-0030 1200 30 76 3650*5010 180 6 550 藍膜
M2D-1200-0040 1200 40 60 3300*5600 180 6 800 藍膜
M4D-1200-0040 1200 40 40 2880*4830 180 6 800 藍膜
M2D-1200-0080 1200 80 20 3300*3300 180 6 1410 藍膜
M2D-1200-0160 1200 160 17 2400*2650 180 6 2380 藍膜
M2D-1700-0020 1700 20 80 3300*5700 180 6 800 藍膜
M2D-1700-0045 1700 45 40 3300*5700 180 6 800 藍膜
M2D-1700-1000 1700 1000 5 1610*1610 180 6 5700 藍膜